
近日,位于荷兰的全球光刻机生产领导者ASML公司正式宣布,将其最新开发的高数值孔径极紫外光刻机(High NA EUV)优先交付给英特尔公司,这是计算机芯片制造行业里程碑般的一步。据悉,这台新型光刻机的制造成本超过了惊人的3亿美元,但它能够助力半导体制造商生产尺寸更小、速度更快的先进芯片。
在其官方社交媒体账号上发布的图片中,我们可以看到这座技术奇迹的某些部分正安放在保护箱内,箱体上系着一圈红丝带,准备从公司位于荷兰埃因霍温的总部发往目的地。ASML公司在其发布消息时表示,”经过十年的辛勤致力于开创性科学研究和系统工程,我们荣幸地宣布向英特尔公司交付我们的第一台高数值孔径极紫外光刻机。”
根据了解,新型光刻机的尺寸庞大,其组装完成时的体积甚至要超过一辆卡车,因此其运输工作需要250个独立的板条箱来完成,其中包括13个超大型集装箱。这表明了光刻机的复杂性和组装的难度。业界预计,新光刻机可能自2026年或2027年起,被广泛应用于商业芯片的生产中。
光刻机的数值孔径(NA)是其光学系统中的一个关键性能指标,它直接关系到光刻机的实际分辨率以及能够实现的最高工艺节点。通常,当金属间距缩小到30纳米以下,即对应超过5纳米的工艺节点时,低数值孔径光刻机的分辨率就显得不再足够。此时,制造商不得不使用EUV双重曝光或曝光成形(pattern shaping)技术来补偿,这无疑大幅增加了制造成本,并可能影响良品率。由此,开发出拥有更高数值孔径的光刻机成为行业迫切需求。
在此前的9月份,ASML就曾宣布将于年底前向客户发货其首台名为”Twinscan EXE:5000″的高数值孔径EUV光刻机。这款光刻机的问世,将使得2纳米工艺甚至更先进工艺的芯片制造成为可能。
毋庸置疑,能够为先进半导体制造贡献重要一环的ASML,以及其高数值孔径EUV光刻机,预示着半导体行业将迎来新的发展阶段,且此项技术将进一步巩固ASML在光刻技术领域的领先地位。对英特尔而言,这台高性能的光刻机能显著提升其芯片制造能力,为其未来在半导体市场的竞争提供强有力的支持。





